产品概述
VISHAY 三极管封装MOSFET IRF720PBF/VISHAY 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- VISHAY
- 型号
- IRF720PBF/VISHAY
- 品类
- 三极管封装MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
33 项结构与连接
- Linear derating factor
- 0.40 W/°C
- Single pulse avalanche energy b
- 190 mJ
- Repetitive avalanche energy a
- 5.0 mJ
- Maximum power dissipation TC = 25 °C
- 50 W
- Peak diode recovery dV/dt c dV/dt
- 4.0 V/ns
- Maximum junction-to-ambient RthJA
- 62
- Case-to-sink, flat, greased surface RthCS
- 0.50 °C/W
- Maximum junction-to-case (drain) RthJC
- 2.5
- Gate-source leakage IGSS VGS = ± 20
- ± 100 nA
- VDS = 400 V, VGS = 0
- 25
- VDS = 320 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C
- 250
- Forward transconductance gfs VDS = 50 V, ID = 2.0 A b
- 1.7 S
- Input capacitance Ciss VGS = 0 V
- 410
- Output capacitance Coss VDS = 25 V
- 120 pF
- Reverse transfer capacitance Crss f = 1.0 MHz, see fig. 5
- 47
- Total gate charge Qg ID = 3.3 A
- 20
- Gate-source charge Qgs VGS = 10 V VDS = 320 V
- 3.3 nC
- Gate-drain charge Qgd see fig. 6 and 13 b
- 11
- Turn-on delay time td(on)
- 10
- Rise time tr VDD = 200 V, ID = 3.3
- 14
- Fall time tf
- 13
- Internal drain inductance
- 4.5
- Internal source inductance LS die contact
- 7.5
- Body diode reverse recovery time trr
- 270 ns
- Body diode reverse recovery charge Qrr
- 1.4 μC
性能与环境
- Drain-source voltage
- 400 V
- Gate-source voltage
- ± 20 V
- Repetitive avalanche current a
- 3.3 A
- Soldering recommendations (peak temperature) d For 10 s
- 300
- Drain-source breakdown voltage VDS VGS = 0 V, ID = 250 μA
- 400 V
- Gate-source threshold voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 μA
- 4.0 V
- Gate input resistance Rg f = 1 MHz, open drain
- 7.3 Ω
- Body diode voltage VSD TJ = 25 °C, IS = 3.3 A, VGS = 0 V b
- 1.6 V
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
IRF720PBF/VISHAY 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
IRF720PBF/VISHAY 为N 沟道 400 V / 400 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 400 V、R_DS(on) ≤ the original R_DS(on)、以及完全相同的 original 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈20）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。