产品概述
AOS 三极管封装MOSFET AON6512 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- AOS
- 型号
- AON6512
- 品类
- 三极管封装MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
40 项结构与连接
- Continuous Drain TC=25°C
- 210
- Continuous Drain TA=25°C
- 54
- Avalanche energy L=0.05mH C
- 123 mJ
- VDS Spike 100ns
- 36 V
- Power Dissipation B TC=100°C
- 45
- Power Dissipation A TA=70°C
- 4.7
- Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s
- 14 °C/W
- Maximum Junction-to-Ambient A D Steady-State
- 40 °C/W
- Maximum Junction-to-Case Steady-State RqJC
- 0.8 °C/W
- VDS=30V, VGS=0V
- 1
- VGS=10V, ID=20A
- 1.4
- VGS=4.5V, ID=20A
- 1.9 mW
- gFS Forward Transconductance VDS=5V, ID=20A
- 85 S
- Ciss Input Capacitance
- 430 pF
- Coss Output Capacitance VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz
- 327 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 175 pF
- Qg(10V) Total Gate Charge
- 53 nC
- Qg(4.5V) Total Gate Charge
- 25 nC
- Qgs Gate Source Charge
- 7.8 nC
- Qgd Gate Drain Charge
- 10.3 nC
- tD(on) Turn-On DelayTime
- 7.5 ns
- tr Turn-On Rise Time VGS=10V, VDS=15V, RL=0.75W
- 5.0 ns
- tD(off) Turn-Off DelayTime RGEN=3W
- 33.8 ns
- tf Turn-Off Fall Time
- 9.8 ns
- trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=20A, dI/dt=500A/ms
- 22 ns
- Qrr Body Diode Reverse Recovery Charge IF=20A, dI/dt=500A/ms
- 58 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 30 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Current TC=100°C
- 130 A
- Current TA=70°C
- 43
- Avalanche Current C
- 70 A
- Junction and Storage Temperature Range TJ
- 55 to 150 °C
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage ID=250mA, VGS=0V
- 30 V
- IGSS Gate-Body leakage current VDS=0V, VGS= ±20V
- 100 nA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS, ID=250mA
- 1.5 V
- RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance TJ=125°C
- 1.9
- VSD Diode Forward Voltage IS=1A,VGS=0V
- 0.7 V
- VSD Diode Forward Voltage IS=85A,VGS=0V
- 0.87 V
- IS Maximum Body-Diode Continuous Current
- 120 A
- Rg Gate resistance f=1MHz
- 0.7 W
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
AON6512 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
AON6512 为N 沟道 30 V / 30 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 30 V、R_DS(on) ≤ 1.9、以及完全相同的 original 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈53 nC）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。