产品概述
Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AON6403（功率MOSFET（P沟道））面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- AOS
- 型号
- AON6403
- 品类
- 功率MOSFET（P沟道）
- 封装
- DFN5x6-8L
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
38 项结构与连接
- Continuous Drain TC=25°C
- 85
- Continuous Drain TA=25°C
- 21
- Repetitive avalanche energy L=0.1mH C
- 259 mJ
- Power Dissipation B TC=100°C
- 33
- Power Dissipation A TA=70°C
- 1.4
- Maximum Junction-to-Ambient t ≤ 10s
- 14 °C/W
- Maximum Junction-to-Ambient A D Steady-State
- 40 °C/W
- Maximum Junction-to-Case Steady-State RqJC
- 1 °C/W
- VDS=-30V, VGS=0V
- 1
- VGS=-10V, ID=-20A
- 2.6
- VGS=-4.5V, ID=-20A
- 3.5 mW
- gFS Forward Transconductance VDS=-5V, ID=-20A
- 82 S
- Ciss Input Capacitance 6
- 600 pF
- Coss Output Capacitance VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz
- 320 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 050 pF
- Qg(10V) Total Gate Charge
- 163 nC
- Qg(4.5V) Total Gate Charge
- 79 nC
- Qgs Gate Source Charge
- 22 nC
- Qgd Gate Drain Charge
- 33 nC
- tD(on) Turn-On DelayTime
- 13 ns
- tr Turn-On Rise Time VGS=-10V, VDS=-15V
- 18 ns
- tD(off) Turn-Off DelayTime RL=0.75W, RGEN=3W
- 135 ns
- tf Turn-Off Fall Time
- 52 ns
- trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=-20A, dI/dt=500A/ms
- 26 ns
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 30 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Current TC=100°C
- 67 A
- Current TA=70°C
- 17
- Avalanche Current C
- 72 A
- Junction and Storage Temperature Range TJ
- 55 to 150 °C
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage ID=-250mA, VGS=0V
- 30 V
- IGSS Gate-Body leakage current VDS=0V, VGS= ±20V
- ±100 nA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS ID=-250mA
- 1.7 V
- ID(ON) On state drain current VGS=-10V, VDS=-5V
- 280 A
- RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance TJ=125°C
- 3.6
- VSD Diode Forward Voltage IS=-1A,VGS=0V
- 0.7 V
- IS Maximum Body-Diode Continuous Current
- 85 A
- Rg Gate resistance VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 2 W
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
AON6403 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
AON6403 为DFN5x6-8L 封装的N 沟道 30 V / 30 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 30 V、R_DS(on) ≤ 3.6、以及完全相同的 DFN5x6-8L 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈163 nC）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。