01 / 产品信息
产品概述
onsemi 2N7002LT1G（MOSFET-小信号/通用(N-channel)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安森美
- 型号
- 2N7002LT1G
- 品类
- MOSFET-小信号/通用(N-channel)
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
21 项结构与连接
- RqJA
- 556
- 2N700
- 2L, 2V7002L
- (VGS = 0, VDS = 60 Vdc) TJ = 125°C
- 500
- (VGS = 10 V, ID = 500 mAdc) TC = 25°C
- 7.5
- (VGS = 5.0 Vdc, ID = 50 mAdc) TC = 25°C
- 7.5
- Forward Transconductance gFS
- 80 mS
- Input Capacitance Ciss
- 50 pF
- Output Capacitance Coss
- 25 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 5.0 pF
- Turn−On Delay Time (VDD = 25 Vdc, ID ^ 500 mAdc, td(on)
- 20 ns
性能与环境
- Drain−Source Voltage
- 60
- Drain−Gate Voltage (RGS = 1.0 MW)
- 60
- Drain−Source Breakdown Voltage V(BR)DSS
- 60 Vdc
- Zero Gate Voltage Drain Current TJ = 25°C
- 1.0 mAdc
- Gate−Body Leakage Current, Forward
- 100 nAdc
- Gate−Body Leakage Current, Reverse
- −100 nAdc
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 2.5 Vdc
- On−State Drain Current ID(on)
- 500 mA
- Diode Forward On−Voltage
- −1.5 Vdc
- Source Current Continuous
- −115 Adc
- Source Current Pulsed
- −800 Adc
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。