01 / 产品信息
产品概述
Diodes Incorporated 2N7002E-7-F（小信号MOSFET（N沟道））面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- Diodes
- 型号
- 2N7002E-7-F
- 品类
- MOSFET-小信号(N-channel)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
19 项结构与连接
- Continuous
- ±20
- Gate-Body Leakage
- ±10
- Forward Transconductance gFS
- 80
- Input Capacitance Ciss
- 22 pF
- Output Capacitance Coss
- 11
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 2.0 pF
- Total Gate Charge (VGS = 4.5V) Qg
- 223 pC
- Gate-Source Charge Qgs
- 82 pC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 178 pC
- Turn-On Delay Time tD(ON)
- 7.0
- Turn-Off Delay Time tD(OFF)
- 11
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 60 V
- Drain-Gate Voltage RGS ≤ 1.0MΩ
- 60 V
- Maximum Body Diode Forward Current (Note 6)
- 500 mA
- Thermal Resistance, Junction to Case (Note 6) RθJC
- 91
- Drain-Source Breakdown Voltage
- 70
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 2.5
- On-State Drain Current ID(ON)
- 1.0
- Gate Resistance Rg
- 120
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。